当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理,表面疏水处理,反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅片表面张力r(sg)小于水分子表面张力r(sl)。亲水性表面则属高能表面,这时的硅表面张力r(sg)大于水分子表面张力r(sl)。由此可知,硅表面成为亲水性的基本条件为a=r(sg)- r(sl)>0
当今社会已经进入了电子信息时代,微处理芯片的发明改变了,常见疏水处理,微电子、信息技术的水平已经被视为一个现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯加工成单晶硅片,就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和疏水性是硅片的重要物理性质,对硅片的后期加工起着重要的作用。当硅片本身的亲疏水性无法达到加工制造的要求时,北京疏水处理,就要对硅片进行亲疏水处理,使其满足加工制造的要求。
氧等离子体处理后的pdms,其表面引入了亲水性质的-oh基团,并代替了-ch基团,从而使pdms表面表现出极强的亲水性质。同样,由于硅基底通过处理,玻片疏水处理,表面含有大量si-o键,在氧等离子体处理的过程中,si-o键被打断,从而在表面形成大量的si悬挂键,通过吸收空气中-oh,形成了si-oh键。将处理后的pdms与硅表---贴合,两表面的si-oh之间发生如下反应:2si-ohsi-o-si+2h2o。在硅基底与pdms之间形成了牢固的si-o键结合,从而完成了二者间不可逆键合。
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