硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r（sl）- r（sg）＞0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（sg）下降，或者r（sl）上升。方法还是改变其表面结构，使 r（sg）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，上海亲水处理，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构，表面呈疏水性。
pdms以其的优势在微流控芯片中得到应用:材料廉价、易得;材料可加工性、成型性好，可以通过快速模塑法制作不同通道形状的微流控芯片;可以透过240nm以上波段的紫外、可见光，适合各种光学检测;不透水，pet 亲水处理，不溶于水和常见电泳缓冲液;可以透过空气，对细胞---，适合生物样品检测;表面能低，容易和其他材料进行可逆或者不可逆键合;有---的绝缘性，---的散热性能，适于电泳分离;材料表面易于进行改性，适合不同要求的生物样品分析检测;容易质谱等其他分析检测技术联用。
为了提高材料表面的亲水性，应用等离子体技术对材料进行表面改性而提高其润湿性；等离子表面清洗技术作为一种新型的材料表面改性方法，基片亲水处理，低能耗、污染小、处理时间短、效果明显的特点引起了人们的关注。改性后疏水性材料表面的润湿性得到了明显---，等离子清洗机是众多的改性方法中，近年来发展较快的方法，与其他方法相比有很多优点。
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