硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r(sl)- r(sg)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(sg)下降,或者r(sl)上升。方法还是改变其表面结构,疏水处理玻璃,使 r(sg)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,疏水处理有哪些方法,si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构,表面呈疏水性。
当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理,反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅片表面张力r(sg)小于水分子表面张力r(sl)。亲水性表面则属高能表面,北京疏水处理,这时的硅表面张力r(sg)大于水分子表面张力r(sl)。由此可知,硅表面成为亲水性的基本条件为a=r(sg)- r(sl)>0
目前,关于pdms. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- pdms多层结构微阀的过程中,将pdms直接旋涂、固化在硅片上,实现硅- pdms薄膜直接键合,这种方法属于可逆键合,键合强度不高。在制作生物芯片时,利用氧等离子体分别处理pdms和带有氧化层掩膜的硅基片,将其键合在一起。此方法实际上是pdms与sio2掩膜层的键合,但在硅表面由热氧化法制得的sio2膜层与pdms的键合效果并不理想。
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