利用氧等离子体表面处理，使pdms与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现pdms与其它基片键合的技术中，常见疏水处理，-般认为，在进行氧等离子体表面改性后，疏水处理，应立即将pdms基片与盖片贴合，否则pdms表面将很快恢复疏水性，从而导致键合失效，因此可操作工艺时间较短，玻片疏水处理，一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的pdms基片和硅基片上都会带有相应的微细结构，键合前需用一定的时间进行结构图形的对准，因此，如何使pdms活性表面的持续时间得以延长，成为---键合的关键。
氧等离子体处理后的pdms，其表面引入了亲水性质的-oh基团，并代替了-ch基团，疏水处理仪器，从而使pdms表面表现出极强的亲水性质。同样，由于硅基底通过处理，表面含有大量si-o键，在氧等离子体处理的过程中，si-o键被打断，从而在表面形成大量的si悬挂键，通过吸收空气中-oh，形成了si-oh键。将处理后的pdms与硅表---贴合，两表面的si-oh之间发生如下反应:2si-ohsi-o-si+2h2o。在硅基底与pdms之间形成了牢固的si-o键结合，从而完成了二者间不可逆键合。
目前，关于pdms. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- pdms多层结构微阀的过程中，将pdms直接旋涂、固化在硅片上，实现硅- pdms薄膜直接键合，这种方法属于可逆键合，键合强度不高。在制作生物芯片时，利用氧等离子体分别处理pdms和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是pdms与sio2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的sio2膜层与pdms的键合效果并不理想。
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