当今社会已经进入了电子信息时代,微处理芯片的发明改变了,微电子、信息技术的水平已经被视为一个现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯加工成单晶硅片,就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和疏水性是硅片的重要物理性质,怎么亲水处理,对硅片的后期加工起着重要的作用。当硅片本身的亲疏水性无法达到加工制造的要求时,就要对硅片进行亲疏水处理,使其满足加工制造的要求。
氧等离子体处理后的pdms,其表面引入了亲水性质的-oh基团,并代替了-ch基团,从而使pdms表面表现出极强的亲水性质。同样,由于硅基底通过处理,广西亲水处理,表面含有大量si-o键,基片亲水处理,在氧等离子体处理的过程中,si-o键被打断,从而在表面形成大量的si悬挂键,通过吸收空气中-oh,形成了si-oh键。将处理后的pdms与硅表---贴合,两表面的si-oh之间发生如下反应:2si-ohsi-o-si+2h2o。在硅基底与pdms之间形成了牢固的si-o键结合,亲水处理目的,从而完成了二者间不可逆键合。
硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r(sl)- r(sg)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(sg)下降,或者r(sl)上升。方法还是改变其表面结构,使 r(sg)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构,表面呈疏水性。
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