亲疏水处理度对于gaas/gan键合界面透光性的影响
采用亲疏水两种不同的处理方法，疏水处理，在氮气保护、600℃热处理1h条件下，成功实现了gan和gaas异质材料的键合，疏水处理的目的，两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发，研究了两种处理方法对于界面透光性的影响，对键合样品进行了可见光透射谱测试，实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得---94.7%的透过率，面料疏水处理，并将键合样品加工成器件进行电致发光(el)谱测试，实验结果与透射谱测试结果一致.
等离子清洗设备的原理是在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，利用射频电源产生的高压交变电场将氧、、氢等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的离子，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，硅疏水处理，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到表面清洁活化的目的。是清洗方法中为的剥离式清洗，其大优势在于清洗后无废液，大特点是对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料等都能---地处理，可实现整体和局部以及复杂结构的清洗
目前，关于pdms. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- pdms多层结构微阀的过程中，将pdms直接旋涂、固化在硅片上，实现硅- pdms薄膜直接键合，这种方法属于可逆键合，键合强度不高。在制作生物芯片时，利用氧等离子体分别处理pdms和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是pdms与sio2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的sio2膜层与pdms的键合效果并不理想。
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