目前，关于pdms. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- pdms多层结构微阀的过程中，将pdms直接旋涂、固化在硅片上，疏水处理的目的，实现硅- pdms薄膜直接键合，这种方法属于可逆键合，玻璃疏水处理，键合强度不高。在制作生物芯片时，利用氧等离子体分别处理pdms和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是pdms与sio2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的sio2膜层与pdms的键合效果并不理想。
在化学里，疏水性指的是一个分子（疏水物）与水互相排斥的物理性质。举例来说，疏水性分子包含有烷烃、油、脂肪和多数含有油脂的物质。
疏水性通常也可以称为亲脂性，但这两个词并不全然是同义的。即使大多数的疏水物通常也是亲脂性的，但还是有例外，如硅橡胶和碳---合物（fluorocarbon）。
性质理论根据热力学的理论，物质会寻求存在于能量的状态，而氢键便是个可以减少化学能的办法。水是极性物质，并因此可以在内部形成氢键，这使得它有许多独别的性质。但是，因为疏水物不是电子极化性的，它们无法形成氢键，所以水会对疏水物产生排斥，而使水本身可以互相形成氢键。
这即是导致疏水作用（这名称并不正确，北京疏水处理，因为能量作用是来自亲水性的分子）的疏水效应，因此两个不相溶的相态（亲水性对疏水性）将会变化成使其界面的面积时的状态。此一效应可以在相分离的现象中被观察到。
硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，表面疏水处理，硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r（sl）- r（sg）＞0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（sg）下降，或者r（sl）上升。方法还是改变其表面结构，使 r（sg）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构，表面呈疏水性。
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