即硅片表面必须由低能转化为高能表面。从a=r(sg)- r(sl)>0式可以看出:完成上述转化的条件为或者使r(sg).上升,或者r(sl)下降。由于清洗液大多为无机碱、酸的水溶液,知这时r(sl).几乎不变。因此,基片亲水处理,的方法是改变r(sg),亲水处理目的, 使之增加。由于结构完整的纯净硅表面r(sg)是固定的,要改变其r(sg),只能改变其表面结构。实际上,硅片经过清洗液洗后,表面si大部分以o键为终端结构,即表面非定形siox结构,利用其高r(sg)值达到硅表面吸附水分子的效果。亲水处理后,硅表面结构
疏水性---酸为侧链具有高疏水性的---酸之总称;亲水性---酸为侧链具有高亲水性的---酸之总称。
1、非极性---酸(疏水---酸):9种,亲水处理试剂,甘氨酸(gly)丙氨酸(ala)缬氨酸(val)亮氨酸(leu)异亮氨酸(ile)---氨酸(phe)色氨酸(trp)甲硫氨酸(met) 脯氨酸(pro)口诀:甘丙缬亮异---色甲脯
2、极性---酸(亲水---酸):
1)极性不带电荷/极---酸:苏氨酸(thr)、丝氨酸(ser)、半胱氨酸(cys)、天冬---(asn)、谷氨---(gln)、酪氨酸(tyr) 口诀:苏丝半酪天谷(---)
2)带正电---酸(碱性---酸) 3种赖氨酸(lys)、---(arg)、组氨酸(his) 口诀:赖精组
3)带负电---酸(酸性---酸) 2种天冬氨酸(asp)、谷氨酸(glu) 口诀:天谷
硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,江西亲水处理,硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r(sl)- r(sg)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(sg)下降,或者r(sl)上升。方法还是改变其表面结构,使 r(sg)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构,表面呈疏水性。
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