硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为b=a=r(sl)- r(sg)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(sg)下降,或者r(sl)上升。方法还是改变其表面结构,表面疏水处理,使 r(sg)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,si几乎不被腐蚀。硅片外层的si儿乎以h键为终端结构,表面呈疏水性。
利用氧等离子体表面处理,使pdms与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现pdms与其它基片键合的技术中,-般认为,疏水处理方法,在进行氧等离子体表面改性后,应立即将pdms基片与盖片贴合,福建疏水处理,否则pdms表面将很快恢复疏水性,从而导致键合失效,面料疏水处理,因此可操作工艺时间较短,一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的pdms基片和硅基片上都会带有相应的微细结构,键合前需用一定的时间进行结构图形的对准,因此,如何使pdms活性表面的持续时间得以延长,成为---键合的关键。
疏水性---酸为侧链具有高疏水性的---酸之总称;亲水性---酸为侧链具有高亲水性的---酸之总称。
1、非极性---酸(疏水---酸):9种,甘氨酸(gly)丙氨酸(ala)缬氨酸(val)亮氨酸(leu)异亮氨酸(ile)---氨酸(phe)色氨酸(trp)甲硫氨酸(met) 脯氨酸(pro)口诀:甘丙缬亮异---色甲脯
2、极性---酸(亲水---酸):
1)极性不带电荷/极---酸:苏氨酸(thr)、丝氨酸(ser)、半胱氨酸(cys)、天冬---(asn)、谷氨---(gln)、酪氨酸(tyr) 口诀:苏丝半酪天谷(---)
2)带正电---酸(碱性---酸) 3种赖氨酸(lys)、---(arg)、组氨酸(his) 口诀:赖精组
3)带负电---酸(酸性---酸) 2种天冬氨酸(asp)、谷氨酸(glu) 口诀:天谷
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